Компания Crossbar объявила Resistive RAM (RRAM) – новый тип памяти, разрешающий уместить терабайт инфы на одном чипе размером с почтовую марку. Также новенькая разработка считывает данные в 20 раз стремительнее, чем флэш-память типа NAND, используемая фактически во всех устройствах – от "айфонов" до цифровых камер.Скорость записи у RRAM-чипов создает до 140 мб за секунду (NAND может похвалиться только 7-ю), а чтения – 17 мб за секунду. При выполнении этих операций они потребляют в 20 меньше энергии, разрешая мобильным устройствам трудиться продолжительнее от одной зарядки.
Более того, память RRAM в 20 раз долговечнее, чем флэш.Потенциал разработки Crossbar интересует инвесторов: компания, основанная в 2010 году, завлекла 25 миллионов баксов от Kleiner Perkins Caufield Byers, Artiman Ventures и Northern Light Venture Capital. В стартапе трудится всего 20 человек.У RRAM-чипов имеется очередное преимущество: они не требуют заносить трансформации в сегодняшнюю разработку производства. 1-ые продукты с инноваторской памятью могут показаться на рынке через 23 года.Разработка Crossbar, в отличие от NAND, применяет не транзисторы, а многоуровневую структуру. Ячейки памяти RRAM складываются из 3-х слоев: стального электрода сверху и неметаллического снизу.
В центре находится переключатель, определяющий, хранит ячейка единицу или нуль.