Ученые из компании ASML выдумали способ, как с помощью усовершенствованного метода фотолитографии, используемого для производства микропроцессоров, создавать еще больше малогабаритные чипы. Новейшую разработку могут взять на вооружение производители уже к 2015 году.Современный способ, которому следуют более пятидесяти лет, подразумевает неизменное увеличение числа транзисторов на кристаллах кремниевых пластинок. Такой подход оформил в виде теории учредитель Intel Гордон Мур в 1965 году.
Он объявил, что число транзисторов на кристалле микропроцессора будет умножаться раз в пару лет. Но, у "закона Мура" имеется предел из-за физических ограничений: количество полупроводников из кремния нельзя наращивать до бесконечности.ASML занесла предложение отодвинуть это ограничение с помощью разработки фотолитографии в глубочайшем ультрафиолете (EUV).
Этот метод состоит в том, чтоб "печатать" на кремниевой пластинке транзисторы, применяя свет с длиной волны около 13 нанометров. Для сопоставления, современные DUV-установки предлагают 248 нанометров, т.е. фактически в 20 раза больше.Компания объявила, что ей первой удалось сделать степпер, что благодаря EUV-излучению способен создавать 10-нанометровые чипы.
Более того, она выделила, что оборудование для массового производства таких микросхем может быть готово к применению уже через два года.Но, пока установка ASML сталкивается с некими ограничениями. EUV-лазер макета испускает свет мощностью 55 ватт, в то время как коммерческому степперу необходимо хотя бы 250 ватт.